■イオンビーム銃の用途 　分析用や加工用、スパッター用と数多くの種類があります。 　　IBF加工　 　　昇温脱離ガス分析システム　 　　イオン銃の特徴　 　　プラズマ電位について 　　スパッターイオン銃のアプリケーション ■電子ビーム銃の用途 　表面分析用、イオン化用、加熱用、ビーム加工用、など多々あります。 　　電子ビーム溶接機　　 　　カソードルミネッセンス 　　μRHEED　（微小領域の表面分析） ■ニュートラルビーム銃の用途 　このビーム銃は、低速に減速された酸素などの原子を１０ｅＶ程度まで減速し、シリコンなどの表面にソフトランディングさせ整然と配列させます。このことはシリコンが酸素原子により酸化されたことを意味し、高純度のシリコン表面の酸化薄膜を作製するのに大変有効です。他の加工方法より高真空（１０−６Ｔｏｒｒ）の清浄空間で薄膜が作製できますので表面物理、新規デバイスの研究には欠かせません。 　また、イオン種にArを用い、500eVまで減速し、特殊な形状の中和器にて高速中性ビームを発生する事が出来るので、絶縁物でもチャージアップがなく、精密かつ低ダメージで加工する事が可能です。 　　OMI-0730シリーズ 　　ＯＭＢ―０４１０ＮＢ ■分析管の用途 　ＴＯＦ分析管は、加速レンズ電極、収束レンズ、イオンドリフト管、ＭＣＰ（光電子増倍管）、電流検出用エレクトロメータ（チャージアンプ）または、高速パルスアンプをＩＣＦ７０ｍｍフランジに搭載した、小型コンパクトＴＯＦ検出管です。イオン化用のパルス電子銃と組み合わせたシステムでのご依頼も承っております。 ○パルス電子銃によりイオン化された原子は、飛行長 L(ｍ)を飛行する時間ｔｄ（Ｓ）とすると下記の　　　計算式により算出できます。

計算式 　(S)

n　：　イオンの価数 水素イオン　ｎ＝１で計算すると ｍ　：　イオンの質量（１ａｍｕ） １．６７×１０E−２７（Ｋｇ） ｅ　：　電荷 １．６０×１０E−１９（Ｃ） ａ　：　加速ディスタンス　　 １０ｍｍ＝１０×１０E−３（ｍ）　 Vａ　：　加速電圧 １０００（ｅＶ） Wo　：　イオンの初速　 １０(ｅＶ) L　：　ドリフト空間長　 ０．１ｍ

以上の係数を式に代入し計算すると水素イオンが０．１ｍのドリフト空間を飛行する時間ｔｄは td = 2.284×10E-7 (S) となる。この時間差をデジタルオシロスコープにより検出すればタイムオブフライト(TOF)の質量分析が可能になります。

イオン入力型ＴＯＦ検出管 OMD−０１００ＴＯＦ 静電偏向式パルス電子銃（高機能型） ＯＭＥ−００５２ＰＥ−ＨＳ