スピン偏極イオン散乱分光装置｜(株)オメガトロン｜製品情報｜製品情報

スピン偏極イオン散乱分光装置(SP-ISS)について

　　　　　　　

◆概要
表面・界面の磁気構造分析を可能にするスピン偏極イオン散乱分光装置(SP-ISS)
○装置の目的この装置により既存の手法では分析が困難であった表面・界面のスピン状態（磁気構造）分析が可能となります。用途としては、ＨＤＤ、ＭＲＡＭ（ＴＭＲ、ＧＭＲ）、磁気デバイス等のスピントロニクス、新規触媒の開発等です。この新規表面分析で新たな知見を得、研究開発に貢献します。 ○原理先ず試料を磁化しておき、残留磁化の下で測定を行います。磁化の方向に平行又は反平行にスピン偏極したHe+イオンを入射し、散乱イオン強度をスピン別に測定します。この際、入射イオンの多くは表面で中性化しますが、この中性化はスピンに依存します。したがって、この測定から中性化のスピン依存を調べることで、最表面のスピン状態が分析できます。さらに、散乱イオンの運動エネルギーは標的原子の質量に依存するので、元素選別した最表面のスピン状態が分析できます。 ○特徴従来のISS（イオン散乱分光）で可能であった最表面の組成分析、構造解析に加えて元素選別スピン分析とフェルミ準位のスピン分極率計測が可能です。 ○スピン偏極He+発生プロセス 1.RF放電　→　He＊を発生（準安定状態、23S1、1s2s） 2.光ポンピング　→ He＊をスピン偏極 3.ペニングイオン化偏極He＊ + He＊ → 偏極He+ + He + e- 4.偏極He+を引き出し試料まで輸送 ○装置構成 1.光ポンピングレーザー光学系 2.スピン偏極Ｈｅイオン銃（世界最高のスピン偏極率25％、ラディエーショントラッピング抑制型） 3.ダブルセクター型静電エネルギーアナライザー（オメガトロン製コンパクト高分解能型） 4.制御系（LabVIEWコントロールシステム）上記の他にも様々なオプションを用意しており、スピン偏極イオン銃やエネルギーアナライザーなどのコンポーネントでの販売も行っております。デモ測定も承っておりますのでお問い合わせください。

○上記内容でＪＳＴ独創的シーズ展開事業「独創モデル化」に採択されました。
　　　
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